Penjelasan Transistor Dwikutub Gerbang Terisolasi
Senin, 03 Juni 2013
Tambah Komentar
Ketemu dengan Saya lagi nih bro,,
Sebelumnya kunjungi juga ya, artikelku yang ini -->> Membuat Rangkaian 13 LED VU Meter Circuit
Sebelumnya kunjungi juga ya, artikelku yang ini -->> Membuat Rangkaian 13 LED VU Meter Circuit
Kali ini Saya akan membahas masih seputar Elektronika, lebih tepatnya yang berjudul "Transistor Dwikutub Gerbang-Terisolasi" baik langsung aja Cekkidott,,
Transistor
dwikutub gerbang-terisolasi
(Dari Wikipedia
bahasa Indonesia, ensiklopedia bebas)
Transistor dwikutub gerbang-terisolasi
|
|
Simbol
|
|
Tipe
|
Komponen aktif
|
Kategori
|
Transistor
|
Kemasan
|
3 kaki
(gerbang, kolektor, emitor)
|
Penampang umum transistor IGBT
Ikuti pembahasan selanjutnya, klik Lanjutkan Membaca di bawah ini -->>
Transistor dwikutub gerbang-terisolasi (IGBT = insulated gate bipolar transistor)
adalah piranti semikonduktor yang setara dengan
gabungan sebuah BJT dan sebuah MOSFET. Jenis peranti baru yang berfungsi sebagai komponen saklar untuk aplikasi daya ini muncul sejak tahun 1980-an.
Karakteristik IGBT
Sesuai dengan namanya, peranti baru ini merupakan peranti
yang menggabungkan struktur dan sifat-sifat dari kedua jenis transistor
tersebut di atas, BJT dan MOSFET. Dengan kata lain, IGBT mempunyai sifat kerja
yang menggabungkan keunggulan sifat-sifat kedua jenis transistor tersebut.
Saluran gerbang dari IGBT, sebagai saluran kendali juga mempunyai struktur
bahan penyekat (isolator) sebagaimana pada MOSFET.
Masukan dari IGBT adalah terminal Gerbang dari
MOSFET, sedang terminal Sumber dari MOSFET terhubung ke terminal Basis
dari BJT. Dengan demikian, arus cerat keluar dan dari MOSFET akan menjadi arus basis dari BJT. Karena besarnya resistansi masukan dari MOSFET, maka terminal masukan
IGBT hanya akan menarik arus yang kecil dari sumber. Di pihak lain, arus cerat
sebagai arus keluaran dari MOSFET akan cukup besar untuk membuat BJT mencapai
keadaan jenuh. Dengan gabungan sifat kedua unsur tersebut, IGBT mempunyai perilaku yang
cukup ideal sebagai sebuah saklar elektronik. Di satu pihak IGBT tidak terlalu membebani
sumber, di pihak lain mampu menghasilkan arus yang besar bagi beban listrik
yang dikendalikannya.
Terminal masukan IGBT mempunyai nilai impedansi yang sangat tinggi,
sehingga tidak membebani rangkaian pengendalinya yang umumnya terdiri dari rangkaian logika. Ini akan
menyederhanakan rancangan rangkaian pengendali dan penggerak dari IGBT.
Di samping itu, kecepatan pensaklaran IGBT juga lebih
tinggi dibandingkan peranti BJT, meskipun lebih rendah dari peranti MOSFET yang
setara. Di lain pihak, terminal keluaran IGBT mempunyai sifat yang menyerupai
terminal keluaran (kolektor-emitor) BJT. Dengan kata lain, pada saat keadaan
menghantar, nilai resistansi-hidup (Ron) dari IGBT
sangat kecil, menyerupai Ron pada BJT.
Dengan demikian bila tegangan jatuh serta borosan dayanya pada saat keadaan menghantar juga kecil. Dengan
sifat-sifat seperti ini, IGBT akan sesuai untuk dioperasikan pada arus yang
besar, hingga ratusan Ampere, tanpa terjadi kerugian daya yang cukup berarti. IGBT sesuai untuk aplikasi pada
perangkat Inverter maupun Kendali Motor Listrik (Drive).
Sifat-sifat IGBT
Komponen utama di dalam aplikasi elekronika daya dewasa ini adalah saklar peranti padat yang diwujudkan dengan peralatan semikonduktor seperti transistor
dwikutub (BJT), transistor efek medan (FET), maupun Thyristor. Sebuah saklar ideal di dalam penggunaan elektronika daya akan mempunyai
sifat-sifat sebagai berikut :
1.
pada saat keadaan tidak
menghantar (off), saklar mempunyai tahanan yang besar sekali, mendekati nilai
tak berhingga. Dengan kata lain, nilai arus bocor struktur saklar sangat kecil
2.
Sebaliknya, pada saat
keadaan menghantar (on), saklar mempunyai tahanan menghantar (Ron) yang sekecil
mungkin. Ini akan membuat nilai tegangan jatuh (voltage drop) keadaan
menghantar juga sekecil mungkin, demikian pula dengan besarnya borosan daya
yang terjadi, dan kecepatan pensaklaran yang tinggi.
- Sifat nomor (1) umumnya dapat dipenuhi dengan baik oleh semua jenis
peralatan semikonduktor yang disebutkan di atas, karena peralatan
semikonduktor komersial pada umumnya mempunyai nilai arus bocor yang
sangat kecil.
- Untuk sifat nomor (2), BJT lebih unggul dari MOSFET, karena tegangan
jatuh pada terminal kolektor-emitor, VCE pada keadaan menghantar (on)
dapat dibuat sekecil mungkin dengan membuat transitor BJT berada dalam
keadaan jenuh.
- Sebaliknya, untuk unsur kinerja nomor (3) yaitu kecepatan
pensakelaran, MOSFET lebih unggul dari BJT, karena sebagai peranti yang
bekerja berdasarkan aliran pembawa muatan mayoritas, pada MOSFET tidak
dijumpai arus penyimpanan pembawa muatan minoritas pada saat proses
pensaklaran, yang cenderung memperlamnat proses pensaklaran tersebut.
Mungkin itu saja yang dapat Saya sampaikan, Mohon maaf apabila banyak kekurangan.
Wassalamualaikum..
Belum ada Komentar untuk "Penjelasan Transistor Dwikutub Gerbang Terisolasi"
Posting Komentar
Ketentuan Berkomentar :
1. Berkomentarlah Dengan Baik Dan Sopan
2. Tidak Punya Akun Beri Komentar Sebagai : Anonymous
3. Dilarang Menyematkan Link Pada Komentar
Don't Flood & Spam